长鑫宣布技术突破后美光提不同意见 技术路线日,长鑫存储在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布,其4F² DRAM架构研发取得关键进展,被视为国产存储在先进制程上的一次重要突破。然而,仅仅十几天后,美国存储巨头美光科技对此技术路线表示质疑。
10月21日,美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔在年度技术研讨会上表示,美光研究4F²架构已有约20年,并造出原型产品进行比较,但最终没有选择这一路径。两家公司在DRAM微缩方向上的分歧由此显现。
要理解这场争论,需要了解4F²是什么。DRAM是服务器、电脑和手机中的运行内存,由晶体管控制读写、电容负责储存数据。4F²和6F²描述的是单个存储单元在晶圆上的平面占用面积,F代表工艺的最小特征尺寸。理论上,4F²单元占地更小,同样面积能容纳更多单元,但这只是理论推算,实际密度还受到电容、工艺等多重条件制约。
长鑫的核心策略是自研了一颗名为VSG(垂直包围栅)的晶体管,这种晶体管将沟道竖起来,用栅极从四周包围,对电流的控制更强,从而缓解了晶体管越做越小后的漏电和短沟道效应问题,同时竖放也节省了平面空间。长鑫还在推进混合键合技术,计划在2026年底推出融合4F²与混合键合的新一代DDR5 RDIMM服务器内存。此前9月,长鑫第五代G5平台已经量产,单片晶圆的裸片产出较上一代提升至少50%。