2300多亿市值拓荆科技拟购尚积半导体控股权 拓展半导体薄膜沉积与刻蚀领域

　　表示，目前本次交易正处于筹划阶段，交易各方尚未签署正式的交易协议，具体交易方案仍在商讨论证中，尚存在不确定性。

　　今日（6月27日），有半导体行业观察人士分析认为，拓荆科技收购尚积半导体的战略重心并非规模扩容，而是实现工艺能力与下游场景的补全延伸。公司深耕 PECVD 薄膜沉积设备，在逻辑芯片制程具备较强市场竞争力，不过 PVD 金属化、干法刻蚀等关键设备布局相对欠缺，面对功率半导体、MEMS、先进封装等对多工艺成套设备有需求的领域，产品供给存在缺口。

　　“尚积半导体恰好能够补足拓荆当前的产品线短板。该企业同步布局 PVD 金属溅射、特种 PECVD 薄膜、干法刻蚀ETCH 三类核心设备；更具价值的是，旗下设备已批量导入功率器件、碳化硅SiC、MEMS、射频芯片等下游产线，多项核心工艺参数不仅可实现进口设备本土化替代，部分性能指标还优于海外同类产品。”前述半导体行业观察人士表示。

　　《科创板日报》记者注意到，根据拓荆科技2025年年报最新披露数据，该公司2025年PECVD设备实现营收51.42亿元，同比增长75.27%，同期，公司ALD设备收入约3.01亿元，同比增长191.82%，PE-ALDSiO/SiN/SiCO等产品量产规模提升，Thermal-ALDTiN通过客户验证。

　　此前，6月22日，拓荆科技完成46亿元定增募资，其中20亿元用于前沿技术研发中心建设项目，基于公司前沿技术战略布局，除重点开展PE-ALD和Thermal-ALD系列薄膜设备的研发外，还将推动ALD技术逐步拓展至替代传统刻蚀及物理气相沉积（PVD）的工艺应用领域。

　　尚积半导体法定代表人为王世宽，成立于2021年6月，企业注册资本2166.45万元，位于无锡市，是一家专业研发、生产国产半导体自研设备的厂商，主营设备包括金属溅射沉积(PVD)、增强型等离子化学气相沉积(PECVD)、等离子干法刻蚀(H)三大领域，产品服务全球功率器件(PowerDevice)、微机电系统(MEMS)、(AdvancedPackaging)、化合物半导体(III-V)、射频(RF)、集成电路(IC)客户。

　　尚积半导体的氧化钒(VOx)薄膜沉积、RF领域薄膜电阻关键工艺氮化钽(TaN)薄膜沉积、TC-SAWSiO薄膜沉积、高真空吸气薄膜(Getter)沉积设备，技术参数均超越进口设备，相关产品已在客户端实现量产，细分赛道市占率较高。

　　财联社创投通数据显示，尚积半导体先后于2022年9月、2023年12月，分别完成Pre-A轮融资和A轮融资等。标的公司最近一次融资发生在2025年12月，尚积半导体宣布完成超3亿元Pre-IPO轮融资，投资方包括中国中车、江苏战新投、广州产投、国信弘盛、穗开投资、华强、巨石、宿迁产投、君联资本、锡创投等。

　　股权结构方面，尚积半导体股权集中度较高，创始人团队掌控实际控制权，同时引入多元化机构股东支撑业务发展。

　　其中，持股比例超过5%的股东包括：创始人王世宽持股24.91%；联合创始人夏小军持股15.61%；上海泰纳微企业管理有限公司持股11.54%；无锡芯聚管理咨询合伙企业（有限合伙）持股7.97%；无锡宽行企业管理有限公司持股6.63%。

　　2026年一季报显示，拓荆科技营业收入为11.1亿元，同比上升57.0%；归母净利润自去年同期亏损1.47亿元成功扭亏，实现归母净利润5.71亿元；扣非归母净利润自去年同期亏损1.8亿元成功扭亏，实现扣非归母净利润1.02亿元；经营现金流净额为-5.2亿元，同比下滑4858.3%；EPS(全面摊薄)为2.0209元。2300多亿市值拓荆科技拟购尚积半导体控股权 拓展半导体薄膜沉积与刻蚀领域