一天赚4个亿，长鑫为什么还要急着砸349亿？ 加大研发投入提升竞争力。9月28日晚，长鑫科技发布公告称，计划使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目。同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元，用于投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。该项目将建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装服务。上述两个项目的总投资额分别为241亿元和108亿元。
长鑫科技认为，保持核心竞争力和长远发展的关键在于持续推进产品与制程工艺的迭代升级。面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依靠持续的研发投入，推动工艺技术的进步，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断取得突破。这不仅是为了满足市场需求，也是为了增强企业的抗风险能力。通过实施这些超募项目，公司希望加快推出更具竞争力的产品，进一步提升其市场地位。
测试是DRAM生产中的重要环节，但专用设备的特点使得公司在产能提升和产品种类增加时可能面临外部封测厂测试产能不足的问题。为了确保测试产能不成为瓶颈，并保障供应链安全，公司决定增加自建测试产能的投资。通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，公司能够更灵活地协调测试资源，降低测试成本，提高运营效率和技术水平，从而完善IDM模式，增强整体竞争力。
当天，长鑫科技股价收跌4.27%，总市值为3.65万亿元，在A股市场中排名第一。